ວິທີການຂະຫຍາຍ IGBT Driver ໃນປັດຈຸບັນ?

ວົງຈອນໄດເວີ semiconductor ເປັນປະເພດຍ່ອຍທີ່ສໍາຄັນຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ, ມີພະລັງ, ໃຊ້ສໍາລັບ IGBT driver ICs ນອກເຫນືອຈາກການສະຫນອງລະດັບການຂັບແລະປະຈຸບັນ, ມັກຈະມີຫນ້າທີ່ປ້ອງກັນການຂັບ, ລວມທັງການປ້ອງກັນວົງຈອນສັ້ນ desaturation, ການປິດ undervoltage, Miller clamp, ປິດສອງຂັ້ນຕອນ. , ການປິດອ່ອນ, SRC (ການຄວບຄຸມອັດຕາ slew), ແລະອື່ນໆ ຜະລິດຕະພັນຍັງມີລະດັບທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງການປະຕິບັດ insulation.ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ເປັນວົງຈອນປະສົມປະສານ, ຊຸດຂອງຕົນກໍານົດການບໍລິໂພກພະລັງງານສູງສຸດ, ຂັບໄລ່ກະແສໄຟຟ້າອອກ IC ສາມາດຫຼາຍກ່ວາ 10A ໃນບາງກໍລະນີ, ແຕ່ຍັງບໍ່ສາມາດຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂັບລົດຂອງໂມດູນ IGBT ສູງໃນປະຈຸບັນ, ເອກະສານນີ້ຈະປຶກສາຫາລືກ່ຽວກັບການຂັບລົດ IGBT. ການຂະຫຍາຍຕົວໃນປະຈຸບັນແລະປະຈຸບັນ.

ວິທີການຂະຫຍາຍໄດເວີໃນປະຈຸບັນ

ໃນເວລາທີ່ການຂັບໃນປະຈຸບັນຕ້ອງການທີ່ຈະເພີ່ມຂຶ້ນ, ຫຼືໃນເວລາທີ່ຂັບລົດ IGBTs ທີ່ມີ capacitance ປະຕູສູງໃນປະຈຸບັນແລະຂະຫນາດໃຫຍ່, ມັນຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ຂະຫຍາຍກະແສໄຟຟ້າສໍາລັບ IC ໄດເວີ.

ການນໍາໃຊ້ transistors bipolar

ການອອກແບບປົກກະຕິທີ່ສຸດຂອງ IGBT gate driver ແມ່ນເພື່ອຮັບຮູ້ການຂະຫຍາຍຕົວໃນປະຈຸບັນໂດຍການນໍາໃຊ້ຜູ້ຕິດຕາມ emitter ເສີມ.ປະຈຸບັນຜົນຜະລິດຂອງ transistor ຕິດຕາມ emitter ຖືກກໍານົດໂດຍການໄດ້ຮັບ DC ຂອງ transistor hFE ຫຼື β ແລະ IB ປະຈຸບັນພື້ນຖານ, ເມື່ອປະຈຸບັນທີ່ຕ້ອງການເພື່ອຂັບ IGBT ຂະຫນາດໃຫຍ່ກວ່າ IB * β, transistor ຈະເຂົ້າໄປໃນພື້ນທີ່ເຮັດວຽກ linear ແລະຜົນຜະລິດ. ກະແສໄຟຂັບບໍ່ພຽງພໍ, ຫຼັງຈາກນັ້ນຄວາມໄວຂອງການສາກໄຟ ແລະການປ່ອຍຕົວຂອງຕົວເກັບປະຈຸ IGBT ຈະຊ້າລົງ ແລະການສູນເສຍ IGBT ເພີ່ມຂຶ້ນ.

ການນໍາໃຊ້ MOSFETs

MOSFETs ຍັງສາມາດໃຊ້ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂັບໃນປະຈຸບັນ, ວົງຈອນໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນປະກອບດ້ວຍ PMOS + NMOS, ແຕ່ລະດັບເຫດຜົນຂອງໂຄງສ້າງວົງຈອນແມ່ນກົງກັນຂ້າມກັບ transistor push-pull.ການອອກແບບຂອງແຫຼ່ງ PMOS ທໍ່ເທິງແມ່ນເຊື່ອມຕໍ່ກັບການສະຫນອງພະລັງງານໃນທາງບວກ, ປະຕູຮົ້ວແມ່ນຕ່ໍາກວ່າແຫຼ່ງທີ່ມາຂອງແຮງດັນ PMOS ທີ່ໃຫ້, ແລະຜົນຜະລິດ IC ໄດເວີໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນເປີດໃນລະດັບສູງ, ດັ່ງນັ້ນການນໍາໃຊ້ໂຄງສ້າງ PMOS + NMOS. ອາດຈະຕ້ອງການ inverter ໃນການອອກແບບ.

ກັບ transistors bipolar ຫຼື MOSFETs?

(1) ຄວາມແຕກຕ່າງຂອງປະສິດທິພາບ, ປົກກະຕິແລ້ວໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກພະລັງງານສູງ, ຄວາມຖີ່ຂອງການສະຫຼັບແມ່ນບໍ່ສູງຫຼາຍ, ດັ່ງນັ້ນການສູນເສຍ conduction ແມ່ນຕົ້ນຕໍ, ໃນເວລາທີ່ transistor ມີປະໂຫຍດ.ການອອກແບບທີ່ມີຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານສູງໃນປະຈຸບັນຈໍານວນຫຼາຍ, ເຊັ່ນ: ໄດມໍເຕີຂອງຍານພາຫະນະໄຟຟ້າ, ບ່ອນທີ່ການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນມີຄວາມຫຍຸ້ງຍາກແລະອຸນຫະພູມສູງພາຍໃນກໍລະນີທີ່ປິດລ້ອມ, ໃນເວລາທີ່ປະສິດທິພາບມີຄວາມສໍາຄັນຫຼາຍແລະວົງຈອນ transistor ສາມາດເລືອກໄດ້.

(2) ຜົນຜະລິດຂອງການແກ້ໄຂ transistor bipolar ມີການຫຼຸດລົງແຮງດັນທີ່ເກີດຈາກ VCE (sat), ແຮງດັນການສະຫນອງຕ້ອງໄດ້ຮັບການເພີ່ມຂຶ້ນເພື່ອຊົດເຊີຍທໍ່ໄດ VCE (sat) ເພື່ອບັນລຸແຮງດັນຂອງ 15V, ໃນຂະນະທີ່ການແກ້ໄຂ MOSFET ເກືອບສາມາດບັນລຸຜົນຜະລິດທາງລົດໄຟເຖິງລົດໄຟ.

(3) MOSFET ທົນທານຕໍ່ແຮງດັນ, VGS ພຽງແຕ່ປະມານ 20V, ເຊິ່ງອາດຈະເປັນບັນຫາທີ່ຕ້ອງການຄວາມສົນໃຈໃນເວລາທີ່ໃຊ້ການສະຫນອງພະລັງງານໃນທາງບວກແລະທາງລົບ.

(4) MOSFETs ມີຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມລົບຂອງ Rds(on), ໃນຂະນະທີ່ transistors bipolar ມີຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມໃນທາງບວກ, ແລະ MOSFETs ມີບັນຫາຄວາມຮ້ອນ runaway ເມື່ອເຊື່ອມຕໍ່ໃນຂະຫນານ.

(5) ຖ້າຂັບລົດ Si/SiC MOSFETs, ຄວາມໄວການປ່ຽນຂອງ transistors bipolar ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນຊ້າກວ່າວັດຖຸຂັບລົດ MOSFETs, ເຊິ່ງຄວນພິຈາລະນາທີ່ຈະໃຊ້ MOSFETs ເພື່ອຂະຫຍາຍກະແສ.

(6) ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຂັ້ນຕອນຂອງການປ້ອນຂໍ້ມູນກັບ ESD ແລະແຮງດັນໄຟຟ້າແຮງດັນ, transistor bipolar PN junction ມີປະໂຫຍດທີ່ສໍາຄັນເມື່ອທຽບກັບ MOS gate oxide.

transistors bipolar ແລະ MOSFET ລັກສະນະບໍ່ຄືກັນ, ສິ່ງທີ່ຕ້ອງໃຊ້ຫຼືທ່ານຈໍາເປັນຕ້ອງຕັດສິນໃຈດ້ວຍຕົວທ່ານເອງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລະບົບການອອກແບບ.

ຂໍ້ເທັດຈິງດ່ວນກ່ຽວກັບ NeoDen

① ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນປີ 2010, 200+ ພະນັກງານ, 8000+ Sq.m.ໂຮງງານ.

② ຜະລິດຕະພັນ NeoDen: Smart series PNP machine, NeoDen K1830, NeoDen4, NeoDen3V, NeoDen7, NeoDen6, TM220A, TM240A, TM245P, reflow oven IN6, IN12, Solder paste printer FP30436, PM

③ ປະສົບຜົນສຳເລັດ 10000+ ລູກຄ້າທົ່ວໂລກ.

④ 30+ ຕົວແທນທົ່ວໂລກທີ່ກວມເອົາໃນອາຊີ, ເອີຣົບ, ອາເມລິກາ, ໂອເຊຍເນຍ ແລະອາຟຣິກາ.

⑤ ສູນ R&D: 3 ພະແນກ R&D ທີ່ມີວິສະວະກອນ R&D ມືອາຊີບ 25+ ຄົນ.

⑥ ລົງທະບຽນດ້ວຍ CE ແລະໄດ້ຮັບ 50+ ສິດທິບັດ.

⑦ 30+ ວິສະວະກອນການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບແລະສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການ, 15+ ການຂາຍລະດັບສາກົນອາວຸໂສ, ການຕອບສະຫນອງລູກຄ້າທີ່ທັນເວລາພາຍໃນ 8 ຊົ່ວໂມງ, ການແກ້ໄຂມືອາຊີບສະຫນອງພາຍໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.