ການຄັດເລືອກອຸປະກອນ MOSFET ເພື່ອພິຈາລະນາທຸກດ້ານຂອງປັດໃຈ, ຈາກຂະຫນາດນ້ອຍທີ່ຈະເລືອກເອົາ N-type ຫຼື P-type, ປະເພດຊຸດ, ຂະຫນາດໃຫຍ່ເຖິງແຮງດັນ MOSFET, on-resistance, ແລະອື່ນໆ, ຄວາມຕ້ອງການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ແຕກຕ່າງກັນແຕກຕ່າງກັນ.ບົດຄວາມຕໍ່ໄປນີ້ສະຫຼຸບການຄັດເລືອກອຸປະກອນ MOSFET ຂອງ 3 ກົດລະບຽບທີ່ສໍາຄັນ, ຂ້າພະເຈົ້າເຊື່ອວ່າຫຼັງຈາກອ່ານທ່ານຈະມີຫຼາຍຢ່າງ.
1. ການຄັດເລືອກພະລັງງານ MOSFET ຂັ້ນຕອນທີຫນຶ່ງ: P-tube, ຫຼື N-tube?
ມີສອງປະເພດຂອງ MOSFETs ພະລັງງານ: N-channel ແລະ P-channel, ໃນຂະບວນການຂອງການອອກແບບລະບົບທີ່ຈະເລືອກເອົາ N-tube ຫຼື P-tube, ກັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຕົວຈິງທີ່ຈະເລືອກເອົາ, N-channel MOSFETs ທີ່ຈະເລືອກເອົາຮູບແບບ, ລາຄາຖືກ;P-channel MOSFETs ເພື່ອເລືອກຮູບແບບຫນ້ອຍ, ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍສູງ.
ຖ້າແຮງດັນທີ່ S-pole ເຊື່ອມຕໍ່ຂອງພະລັງງານ MOSFET ບໍ່ແມ່ນພື້ນທີ່ອ້າງອິງຂອງລະບົບ, N-channel ຕ້ອງການໄດການສະຫນອງພະລັງງານຂອງພື້ນດິນທີ່ເລື່ອນໄດ້, ໄດ transformer ຫຼື bootstrap drive, ວົງຈອນ drive complex;P-channel ສາມາດຂັບເຄື່ອນໂດຍກົງ, ຂັບງ່າຍດາຍ.
ຈໍາເປັນຕ້ອງພິຈາລະນາຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ N-channel ແລະ P-channel ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ
ກ.ຄອມພິວເຕີໂນ໊ດບຸ໊ກ, ເດັສທັອບແລະເຊີບເວີທີ່ໃຊ້ເພື່ອໃຫ້ CPU ແລະພັດລົມເຢັນຂອງລະບົບ, ເຄື່ອງພິມມໍເຕີລະບົບການໃຫ້ອາຫານ, ເຄື່ອງດູດຝຸ່ນ, ເຄື່ອງຟອກອາກາດ, ພັດລົມໄຟຟ້າແລະເຄື່ອງໃຊ້ໃນເຮືອນອື່ນໆຂອງວົງຈອນຄວບຄຸມມໍເຕີ, ລະບົບເຫຼົ່ານີ້ໃຊ້ໂຄງສ້າງວົງຈອນເຕັມ, ແຕ່ລະຂົວ. ກ່ຽວກັບທໍ່ສາມາດໃຊ້ P-tube, ຍັງສາມາດໃຊ້ N-tube.
ຂ.ລະບົບການສື່ສານ 48V input ລະບົບຂອງ hot-plug MOSFETs ວາງໄວ້ໃນຕອນທ້າຍສູງ, ທ່ານສາມາດນໍາໃຊ້ P-tubes, ທ່ານຍັງສາມາດນໍາໃຊ້ N-tubes.
ຄ.ວົງຈອນປ້ອນຄອມພິວເຕີໂນ໊ດບຸ໊ກເປັນຊຸດ, ຫຼິ້ນບົດບາດຂອງການເຊື່ອມຕໍ່ຕ້ານການປີ້ນກັບກັນແລະການໂຫຼດ switching ສອງ back-to-back MOSFETs ພະລັງງານ, ການນໍາໃຊ້ N-channel ຈໍາເປັນຕ້ອງໄດ້ຄວບຄຸມ chip ພາຍໃນປະສົມປະສານປັ໊ມ charge drive, ການນໍາໃຊ້ P-channel. ສາມາດຂັບເຄື່ອນໂດຍກົງ.
2. ການເລືອກປະເພດຂອງຊຸດ
ພະລັງງານປະເພດຊ່ອງທາງ MOSFET ເພື່ອກໍານົດຂັ້ນຕອນທີສອງເພື່ອກໍານົດຊຸດ, ຫຼັກການການຄັດເລືອກຊຸດແມ່ນ.
ກ.ການເພີ່ມອຸນຫະພູມແລະການອອກແບບຄວາມຮ້ອນແມ່ນຄວາມຕ້ອງການພື້ນຖານທີ່ສຸດສໍາລັບການເລືອກຊຸດ
ຂະຫນາດຊຸດທີ່ແຕກຕ່າງກັນມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນແລະການກະຈາຍພະລັງງານທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ນອກເຫນືອຈາກການພິຈາລະນາສະພາບຄວາມຮ້ອນຂອງລະບົບແລະອຸນຫະພູມສະພາບແວດລ້ອມ, ເຊັ່ນວ່າມີຄວາມເຢັນຂອງອາກາດ, ຮູບຮ່າງຂອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນແລະຂໍ້ຈໍາກັດຂະຫນາດ, ບໍ່ວ່າຈະເປັນສະພາບແວດລ້ອມປິດແລະປັດໃຈອື່ນໆ, ຫຼັກການພື້ນຖານແມ່ນເພື່ອຮັບປະກັນການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງອຸນຫະພູມຂອງພະລັງງານ MOSFET ແລະປະສິດທິພາບຂອງລະບົບ, ສະຖານທີ່ຂອງການເລືອກພາລາມິເຕີແລະການຫຸ້ມຫໍ່ MOSFET ພະລັງງານທົ່ວໄປຫຼາຍ.
ບາງຄັ້ງເນື່ອງຈາກເງື່ອນໄຂອື່ນໆ, ຄວາມຕ້ອງການທີ່ຈະນໍາໃຊ້ MOSFET ຫຼາຍຂະຫນານເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ, ເຊັ່ນໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ PFC, ການຄວບຄຸມມໍເຕີລົດໄຟຟ້າ, ລະບົບການສື່ສານ, ເຊັ່ນ: ການສະຫນອງພະລັງງານໂມດູນຮອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການແກ້ໄຂ synchronous, ໄດ້ຖືກຄັດເລືອກໃນ. ຂະຫນານກັບທໍ່ຫຼາຍ.
ຖ້າການເຊື່ອມຕໍ່ຂະຫນານຫຼາຍທໍ່ບໍ່ສາມາດໃຊ້ໄດ້, ນອກເຫນືອຈາກການເລືອກ MOSFET ພະລັງງານທີ່ມີປະສິດຕິພາບທີ່ດີກວ່າ, ນອກຈາກນັ້ນ, ຊຸດຂະຫນາດທີ່ໃຫຍ່ກວ່າຫຼືຊຸດປະເພດໃຫມ່ສາມາດນໍາໃຊ້ໄດ້, ສໍາລັບຕົວຢ່າງ, ໃນບາງອຸປະກອນໄຟຟ້າ AC / DC TO220 ຈະ. ຖືກປ່ຽນເປັນຊຸດ TO247;ໃນບາງເຄື່ອງສະໜອງພະລັງງານຂອງລະບົບການສື່ສານ, ຊຸດ DFN8*8 ໃໝ່ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້.
ຂ.ການຈໍາກັດຂະຫນາດຂອງລະບົບ
ບາງລະບົບເອເລັກໂຕຣນິກຖືກຈໍາກັດໂດຍຂະຫນາດຂອງ PCB ແລະຄວາມສູງຂອງພາຍໃນ, ເຊັ່ນ: ການສະຫນອງພະລັງງານໂມດູນຂອງລະບົບການສື່ສານເນື່ອງຈາກຄວາມສູງຂອງຂໍ້ຈໍາກັດປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ DFN5 * 6, DFN3 * 3 ຊຸດ;ໃນບາງການສະຫນອງພະລັງງານ ACDC, ການນໍາໃຊ້ການອອກແບບ ultra-thin ຫຼືເນື່ອງຈາກຂໍ້ຈໍາກັດຂອງແກະ, ການປະກອບ TO220 ຊຸດພະລັງງານ MOSFET pins ໂດຍກົງເຂົ້າໄປໃນຮາກ, ຄວາມສູງຂອງຂໍ້ຈໍາກັດບໍ່ສາມາດໃຊ້ຊຸດ TO247 ໄດ້.
ການອອກແບບບາງ ultra-thin ໂດຍກົງໂຄ້ງ pins ອຸປະກອນຮາບພຽງ, ຂະບວນການຜະລິດການອອກແບບນີ້ຈະກາຍເປັນສະລັບສັບຊ້ອນ.
ໃນການອອກແບບກະດານປ້ອງກັນຫມໍ້ໄຟ lithium ຄວາມຈຸຂະຫນາດໃຫຍ່, ເນື່ອງຈາກຂໍ້ຈໍາກັດຂະຫນາດທີ່ຮຸນແຮງທີ່ສຸດ, ປະຈຸບັນສ່ວນໃຫຍ່ໃຊ້ຊຸດ CSP ລະດັບຊິບເພື່ອປັບປຸງປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນຫຼາຍເທົ່າທີ່ເປັນໄປໄດ້, ໃນຂະນະທີ່ຮັບປະກັນຂະຫນາດຂະຫນາດນ້ອຍສຸດ.
ຄ.ການຄວບຄຸມຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ
ລະບົບອີເລັກໂທຣນິກໃນຕົ້ນໆທີ່ໃຊ້ຊຸດ plug-in, ປີນີ້ເນື່ອງຈາກຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແຮງງານເພີ່ມຂຶ້ນ, ຫຼາຍບໍລິສັດເລີ່ມປ່ຽນເປັນຊຸດ SMD, ເຖິງແມ່ນວ່າຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງການເຊື່ອມໂລຫະຂອງ SMD ສູງກວ່າ plug-in ສູງ, ແຕ່ລະດັບສູງຂອງອັດຕະໂນມັດຂອງການເຊື່ອມ SMD, ໄດ້. ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໂດຍລວມຍັງສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ໃນລະດັບທີ່ສົມເຫດສົມຜົນ.ໃນບາງແອັບພລິເຄຊັນເຊັ່ນ: motherboards desktop ແລະ boards ທີ່ມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍທີ່ລະອຽດອ່ອນທີ່ສຸດ, MOSFETs ພະລັງງານໃນແພັກເກັດ DPAK ມັກຈະຖືກນໍາໃຊ້ເນື່ອງຈາກຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາຂອງຊຸດນີ້.
ດັ່ງນັ້ນ, ໃນການຄັດເລືອກຊຸດ MOSFET ພະລັງງານ, ເພື່ອສົມທົບຮູບແບບຂອງບໍລິສັດຂອງຕົນເອງແລະລັກສະນະຜະລິດຕະພັນ, ຄໍານຶງເຖິງປັດໃຈຂ້າງເທິງ.
3. ເລືອກຄວາມຕ້ານທານໃນລັດ RDSON, ໝາຍເຫດ: ບໍ່ແມ່ນປັດຈຸບັນ
ຫຼາຍໆຄັ້ງທີ່ວິສະວະກອນມີຄວາມກັງວົນກ່ຽວກັບ RDSON, ເພາະວ່າ RDSON ແລະການສູນເສຍການດໍາເນີນການແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງໂດຍກົງ, RDSON ຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າ, ການສູນເສຍການນໍາ MOSFET ຂະຫນາດນ້ອຍກວ່າ, ປະສິດທິພາບສູງ, ອຸນຫະພູມຕ່ໍາ.
ເຊັ່ນດຽວກັນ, ວິສະວະກອນເທົ່າທີ່ເປັນໄປໄດ້ເພື່ອປະຕິບັດຕາມໂຄງການທີ່ຜ່ານມາຫຼືອົງປະກອບທີ່ມີຢູ່ໃນຫ້ອງສະຫມຸດວັດສະດຸ, ສໍາລັບ RDSON ຂອງວິທີການຄັດເລືອກທີ່ແທ້ຈິງບໍ່ມີຫຼາຍທີ່ຈະພິຈາລະນາ.ເມື່ອອຸນຫະພູມເພີ່ມຂຶ້ນຂອງພະລັງງານທີ່ເລືອກ MOSFET ແມ່ນຕໍ່າເກີນໄປ, ສໍາລັບເຫດຜົນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ, ຈະປ່ຽນເປັນອົງປະກອບທີ່ໃຫຍ່ກວ່າ RDSON;ເມື່ອອຸນຫະພູມຂອງພະລັງງານ MOSFET ສູງເກີນໄປ, ປະສິດທິພາບຂອງລະບົບແມ່ນຕໍ່າ, ຈະປ່ຽນເປັນອົງປະກອບຂະຫນາດນ້ອຍຂອງ RDSON, ຫຼືໂດຍການເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງວົງຈອນຂັບພາຍນອກ, ປັບປຸງວິທີການປັບການລະບາຍຄວາມຮ້ອນ, ແລະອື່ນໆ.
ຖ້າມັນເປັນໂຄງການໃຫມ່, ບໍ່ມີໂຄງການທີ່ຜ່ານມາທີ່ຈະປະຕິບັດຕາມ, ຫຼັງຈາກນັ້ນວິທີການເລືອກພະລັງງານ MOSFET RDSON? ນີ້ແມ່ນວິທີການແນະນໍາໃຫ້ທ່ານ: ວິທີການກະຈາຍການບໍລິໂພກພະລັງງານ.
ໃນເວລາທີ່ການອອກແບບລະບົບການສະຫນອງພະລັງງານ, ເງື່ອນໄຂທີ່ຮູ້ຈັກແມ່ນ: ລະດັບແຮງດັນຂາເຂົ້າ, ແຮງດັນຜົນຜະລິດ / ຜົນຜະລິດໃນປະຈຸບັນ, ປະສິດທິພາບ, ຄວາມຖີ່ຂອງການດໍາເນີນງານ, ແຮງດັນຂອງໄດ, ແນ່ນອນ, ມີຕົວຊີ້ວັດດ້ານວິຊາການອື່ນໆແລະ MOSFETs ພະລັງງານທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບຕົວກໍານົດການເຫຼົ່ານີ້.ຂັ້ນຕອນດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້.
ກ.ອີງຕາມຂອບເຂດແຮງດັນຂາເຂົ້າ, ແຮງດັນຜົນຜະລິດ / ຜົນຜະລິດໃນປະຈຸບັນ, ປະສິດທິພາບ, ຄິດໄລ່ການສູນເສຍສູງສຸດຂອງລະບົບ.
ຂ.ການສູນເສຍວົງຈອນພະລັງງານ spurious, ອົງປະກອບວົງຈອນທີ່ບໍ່ແມ່ນພະລັງງານການສູນເສຍ static, ການສູນເສຍ static IC ແລະການສູນເສຍການຂັບລົດ, ເພື່ອເຮັດໃຫ້ການຄາດຄະເນ rough, ມູນຄ່າ empirical ສາມາດກວມເອົາ 10% ຫາ 15% ຂອງການສູນເສຍທັງຫມົດ.
ຖ້າວົງຈອນພະລັງງານມີຕົວຕ້ານທານການເກັບຕົວຢ່າງໃນປະຈຸບັນ, ໃຫ້ຄິດໄລ່ການໃຊ້ພະລັງງານຂອງຕົວຕ້ານທານການເກັບຕົວຢ່າງໃນປະຈຸບັນ.ການສູນເສຍທັງຫມົດລົບການສູນເສຍເຫຼົ່ານີ້ຂ້າງເທິງ, ສ່ວນທີ່ຍັງເຫຼືອແມ່ນອຸປະກອນພະລັງງານ, ຫມໍ້ແປງຫຼືການສູນເສຍພະລັງງານ inductor.
ການສູນເສຍພະລັງງານທີ່ຍັງເຫຼືອຈະຖືກຈັດສັນໃຫ້ກັບອຸປະກອນພະລັງງານແລະຫມໍ້ແປງຫຼື inductor ໃນອັດຕາສ່ວນທີ່ແນ່ນອນ, ແລະຖ້າທ່ານບໍ່ແນ່ໃຈ, ການແຜ່ກະຈາຍສະເລ່ຍໂດຍຈໍານວນຂອງອົງປະກອບ, ດັ່ງນັ້ນທ່ານໄດ້ຮັບການສູນເສຍພະລັງງານຂອງແຕ່ລະ MOSFET.
ຄ.ການສູນເສຍພະລັງງານຂອງ MOSFET ໄດ້ຖືກຈັດສັນໃຫ້ກັບການສູນເສຍການສະຫຼັບແລະການສູນເສຍການດໍາເນີນການໃນອັດຕາສ່ວນທີ່ແນ່ນອນ, ແລະຖ້າບໍ່ແນ່ນອນ, ການສູນເສຍການສະຫຼັບແລະການສູນເສຍ conduction ໄດ້ຖືກຈັດສັນເທົ່າທຽມກັນ.
ງ.ໂດຍການສູນເສຍ conduction MOSFET ແລະ RMS ກະແສໄຟຟ້າ, ຄິດໄລ່ການຕໍ່ຕ້ານ conduction ສູງສຸດທີ່ອະນຸຍາດໃຫ້, ຄວາມຕ້ານທານນີ້ແມ່ນ MOSFET ຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມສູງສຸດຂອງ junction ປະຕິບັດງານ RDSON.
ແຜ່ນຂໍ້ມູນໃນພະລັງງານ MOSFET RDSON ຫມາຍເງື່ອນໄຂການທົດສອບກໍານົດໄວ້, ໃນເງື່ອນໄຂທີ່ກໍານົດໄວ້ທີ່ແຕກຕ່າງກັນມີຄ່າທີ່ແຕກຕ່າງກັນ, ອຸນຫະພູມການທົດສອບ: TJ = 25 ℃, RDSON ມີຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມບວກ, ດັ່ງນັ້ນ, ອີງຕາມການອຸນຫະພູມ junction ປະຕິບັດງານສູງສຸດຂອງ MOSFET ແລະ. ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມ RDSON, ຈາກຂ້າງເທິງ RDSON ມູນຄ່າການຄິດໄລ່, ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບ RDSON ທີ່ສອດຄ້ອງກັນຢູ່ທີ່ 25 ℃ອຸນຫະພູມ.
e.RDSON ຈາກ 25 ℃ເພື່ອເລືອກເອົາປະເພດທີ່ເຫມາະສົມຂອງພະລັງງານ MOSFET, ຕາມຕົວກໍານົດການທີ່ແທ້ຈິງຂອງ MOSFET RDSON, ລົງຫຼືຂຶ້ນ trim.
ຜ່ານຂັ້ນຕອນຂ້າງເທິງ, ການຄັດເລືອກເບື້ອງຕົ້ນຂອງຕົວແບບ MOSFET ພະລັງງານແລະຕົວກໍານົດການ RDSON.
ບົດຄວາມນີ້ແມ່ນ excerpted ຈາກເຄືອຂ່າຍ, ກະລຸນາຕິດຕໍ່ຫາພວກເຮົາເພື່ອລຶບການລະເມີດ, ຂໍຂອບໃຈ!
Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. ໄດ້ຜະລິດແລະສົ່ງອອກເຄື່ອງຈັກຂະຫນາດນ້ອຍຕ່າງໆຕັ້ງແຕ່ປີ 2010. ການນໍາໃຊ້ປະໂຫຍດຈາກ R & D ຂອງພວກເຮົາທີ່ມີປະສົບການທີ່ອຸດົມສົມບູນ, ການຜະລິດທີ່ໄດ້ຮັບການຝຶກອົບຮົມດີ, NeoDen ໄດ້ຮັບຊື່ສຽງຈາກລູກຄ້າທົ່ວໂລກ.
ດ້ວຍການປະກົດຕົວທົ່ວໂລກໃນຫຼາຍກວ່າ 130 ປະເທດ, ການປະຕິບັດທີ່ດີເລີດ, ຄວາມຖືກຕ້ອງສູງແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງເຄື່ອງຈັກ NeoDen PNP ເຮັດໃຫ້ມັນສົມບູນແບບສໍາລັບ R&D, ການຜະລິດແບບມືອາຊີບແລະການຜະລິດ batch ຂະຫນາດນ້ອຍເຖິງຂະຫນາດກາງ.ພວກເຮົາສະຫນອງການແກ້ໄຂເປັນມືອາຊີບຂອງອຸປະກອນ SMT ຫນຶ່ງຢຸດ.
ເພີ່ມ: No.18, Tianzihu Avenue, Tianzihu Town, Anji County, Huzhou City, Zhejiang Province, ຈີນ
ໂທລະສັບ: 86-571-26266266
ເວລາປະກາດ: 19-04-2022